基于Nb薄膜的nano-SQUIDs制备和表征

来源 :第十三届全国超导学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wlg1991
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  科学研究对于纳米系统需要更灵敏的测量,如自旋电子学、量子计算,纳米磁性材料研究等,随着微米级SQUID(超导量子干涉器件)的出现以及制备工艺的改进,具有高自旋灵敏度的nano-SQUID越来越引起广泛注意.我们的研究首先通过电子束曝光技术在10nm Nb膜上描画出nanoSQUID器件图形,然后通过剥离工艺和反应离子刻蚀技术去除非器件部分Nb膜,从而成功制备了超薄直流nano-SQUID,其环面积为1um2,两个约瑟夫森结大小为80nm×50nm,超导临界转变温度为6.5K,在液氦温度(4.2K)测得其临界电流为70uA,临界电流调制深度可达8%,并且初步开展nanoSQUID在纳米材料磁性表征方面的应用研究.
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