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Ge dots have been widely investigated for their potential applications in devices compatible with the Si integration technology [1-3].
Growth of Ge dots on pit-patterned Si substrates
【摘 要】
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Ge dots have been widely investigated for their potential applications in devices compatible with the Si integration technology [1-3].
【机 构】
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State Key Laboratory of Surface Physics,Fudan University,200433 Shanghai,PRC
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年期
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