一种高精度电流采样电路的设计

来源 :四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jorlin2008
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文在特许半导体0.35μm工艺下,利用负反馈结构,设计了一种高精度的电流采样电路,可结合功率管应用于过流保护的电流采样中。同时设计了相应的运算放大器和使能控制电路。仿真结果验证了所设计的电路的采样精度和电路设计的正确性。
其他文献
本文提出了一种与P阱CMOS工艺相兼容的无低阈值器件的带隙电压基准源(BGR)。采用Vthn0≈1.3VCMOS工艺,HSPICE从-40℃到120℃仿真,温度系数为3.7PPM/℃。
提出了一种利用分支电流的正、负温度系数(TC)进行温度补偿的新型设计方法,并用标准CMOS工艺实现了一个电流基准源。整个电路采用0.8μm标准CMOS工艺,利用HSPICE仿真分析表明该
『玉英』之名由来已久,上溯20年以早,乙丑秋月,画家吴作人作姑苏故里游。大师好盆景,喜顽石,数访寒园共茗山水树石间。尔以拳石为岩,吾将寸木作林,景就则乘兴展纸意写,乐融
2015年11月4日-8日,北京第二外国语学院与中国翻译协会、全国翻译专业学位研究生教育指导委员会、教育部高等学校翻译专业教学协作组联合举办了翻译学术系列活动。为提高高等
第五届读者节我又见到许多老读者的身影,细聊之下,他们一直没有找到好项目,依旧在继续寻找,年复一年。从第八期开始,中国平民创业讲习班陆续向读者推荐了“神奇魔幻电影放映
本文提出了一种基于0.5μm CMOS工艺的欠压保护电路,该模块由采样、内部基准、欠压比较器、错误消隐电路四个部分组成。完成在电池电压过低时,欠压保护电路输出为低,关断功率管,
本文介绍了一种欠压保护电路。该电路启动电流小,响应速度快,温度漂移小,且具有迟滞功能。采用0.5μm的BCD工艺,HSpice的仿真结果表明:温度从-45℃到125℃,TT、FF、SS、FS四种模式
一、贫困山区妇幼保健工作现状及存在的主要问题(1)卫生事业投入不足,保健工作步行艰难。(2)贯彻实施《母婴保健法》的难度大,非法接生严重。(3)妇幼保健队伍整体素质低下,
本文设计了一款双高压单片集成MOSFET运算放大器,它适用于静电传感器和静电偏移应用。由于每个放大器所提供的额定电压为350V,输出电流为60mA,对高压压电驱动电路来说该高压运放
会议
本文设计了一种高增益AB类全差分运算放大器。该运算放大器利用折叠式共源共栅结构得到高增益,并利用AB类输出级得到大电流驱动能力和宽摆幅。在0.5μm CMOS工艺条件下Hspice