【摘 要】
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采用钒-钨混合溶胶在石英玻璃基片上制备了系列掺钨V1-xWxO2(0≤x≤8)薄膜样品.变温透过光谱表征表明：随着掺钨量的增加,薄膜的相变温度(TC)逐渐降低.当掺钨量0≤x≤1时,T
【机 构】
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硅酸盐建筑材料国家重点实验室(武汉理工大学),湖北武汉430070
【出 处】
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第七届中国功能玻璃学术研讨会暨新型光电子材料国际论坛
论文部分内容阅读
采用钒-钨混合溶胶在石英玻璃基片上制备了系列掺钨V1-xWxO2(0≤x≤8)薄膜样品.变温透过光谱表征表明：随着掺钨量的增加,薄膜的相变温度(TC)逐渐降低.当掺钨量0≤x≤1时,TC以27.6℃/at％W的效率降低至35℃；当掺钨量1≤x≤5时,TC以1.8℃/at％W的效率降低至28℃；在x=1处掺杂对于TC的调控效率发生突变.相对于纯相VO2薄膜,掺钨后薄膜的可见光透过率有较大提升,但低温半导体相的近红外透过率却随着掺钨量的增加而逐渐降低,且在x=8时,薄膜在室温对近红外光表现出屏蔽效应,即金属态性质.XRD显示薄膜的主晶相为VO2 (M)相,具有(011)择优生长取向.SEM结果表明薄膜结晶状况良好,晶粒尺寸分布均匀,晶粒间孔隙较多.
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