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研究了不同含量纳米银掺杂的（Ｂｉ，Ｐｂ）〈，２〉Ｓｒ〈，２〉Ｃａ〈，２〉Ｃｕ〈，３〉Ｏ〈，ｘ〉块材。ＤＴＡ分析表明纳米银掺杂使材料熔点降低，加速了高Ｔｃ相的形成。磁场下Ｒ－Ｔ展宽测试表明，纳米银掺杂大大提高了磁通蠕动激活能，其中最佳掺杂１５ｗｔ℅Ａｇ时激活能提高５￣６倍；掺杂样品的钉扎能Ｕ（Ｈ）随磁场降低比非掺杂样品要慢，改善了磁场下的传输性能。交流磁化率测量表明纳米银掺杂使晶间损耗峰向高温移动２０Ｋ，说明纳米银掺杂改善了晶界弱连接，并大大增强了晶界的涡旋钉扎能力。