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稀磁半导体同时利用电子的电荷与自旋属性，一般是通过过渡金属掺杂半导体而得到。SiC在高能、高频、高温电子器件上有相对成熟的发展以及应用工艺，使其在稀磁半导体材料中具有潜在的应用前景。在本文中，采用溶胶。凝胶碳热还原法、气-固(VS)生长法、离子注入法分别制备了Mn掺杂的3C-SiC纳米颗粒、Mn掺杂的3C-SiC纳米线及N离子注入6H-SiC单晶等稀磁半导体材料。本文采用X射线衍射仪(XRD)。扫描电子显微镜(SEM)，原子力显微镜(AFM)，高分辨透射电子显微镜(HRTEM)，超导量子干涉仪(SQUID)等仪器对样品进行了表征，并对磁性起源做了简要讨论。