【摘 要】
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本文采用高压高功率的VHF-PECVD技术,通过改变电极间距同时调整硅烷浓度(SC)的方法沉积了一系列的微晶硅薄膜材料,测试其生长速率、次带吸收系数及微结构,研究电极间距对微晶硅薄膜生长速率及其性能的影响.结果表明,薄膜的沉积速率随电极间距的增大而提高,材料的晶化率先升高后降低;低缺陷态的器件质量级微晶硅材料要在适当的电极间距和非晶/微晶过渡区得到.本文在电极间距为12mm硅烷浓度为5.5﹪的条件
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验
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本文采用高压高功率的VHF-PECVD技术,通过改变电极间距同时调整硅烷浓度(SC)的方法沉积了一系列的微晶硅薄膜材料,测试其生长速率、次带吸收系数及微结构,研究电极间距对微晶硅薄膜生长速率及其性能的影响.结果表明,薄膜的沉积速率随电极间距的增大而提高,材料的晶化率先升高后降低;低缺陷态的器件质量级微晶硅材料要在适当的电极间距和非晶/微晶过渡区得到.本文在电极间距为12mm硅烷浓度为5.5﹪的条件下,得到生长速率12(A)/s次带吸收系数小于3cm-1的器件质量级微晶硅薄膜材料.
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