【摘 要】
：
研究发现,纳米结构的减反射薄膜具有良好的减反射性能.为了深入认识此类薄膜结构的性能,本文采用严格耦合波理论(RCWA)计算了几种典型结构的反射率.在仿真计算中,以硅作为衬底,建立的模型包括单层膜、纳米柱(直柱、斜柱)薄膜和金字塔薄膜结构.比较了不同结构的反射率结果,并进行了分析讨论.希望通过这个工作,能够对优化薄膜的设计起到理论指导作用,实现更低的反射率.
【机 构】
：
东南大学显示技术研究中心南京 210096
【出 处】
：
第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
论文部分内容阅读
研究发现,纳米结构的减反射薄膜具有良好的减反射性能.为了深入认识此类薄膜结构的性能,本文采用严格耦合波理论(RCWA)计算了几种典型结构的反射率.在仿真计算中,以硅作为衬底,建立的模型包括单层膜、纳米柱(直柱、斜柱)薄膜和金字塔薄膜结构.比较了不同结构的反射率结果,并进行了分析讨论.希望通过这个工作,能够对优化薄膜的设计起到理论指导作用,实现更低的反射率.
其他文献
为进一步提高铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池效率,Zn(S,O,OH)等宽带隙缓冲材料近年来越来越得到重视和发展.本文采用化学水浴方法(CBD)制备Zn(S,O,OH)薄膜,较为深入地研究了硫脲浓度等参数对Zn(S,O,OH)薄膜特性的影响,并分析Zn(S,O,OH)薄膜的生长机理.通过SEM 等数据发现,随着硫脲浓度的变化,薄膜表面颗粒呈明显变化,在适中硫脲浓度下薄膜晶粒较均匀、致密,薄膜厚度2
本文采用射频磁控溅射的方法在石英衬底上制备CdS 薄膜,并研究讨论了制备条件对薄膜结构、光学、电学等方面的影响.结果表明,室温条件下,沉积时间对样品结构基本无影响,均呈现CdS 立方结构(111) 的最强峰；光学禁带宽度随沉积时间呈先增后降的趋势,并在30min 出现2.41 eV 的最大值.衬底温度发生变化时,样品的结构几乎不发生变化,出现立方相(111)方向的择优取向；且随着衬底温度的升高其禁
本文设计了适用于砷化镓(GaAs) 多结太阳电池宽光谱(300nm ～ 1800nm)ZnS/Al2O3/MgF2 三层减反射膜,计算得到ZnS,Al2O3 和MgF2 的最优物理厚度分别为52.77nm,82.61nm,125.17nm 时,此时最小有效反射率为2.31％,并作出反射率变化曲线.同时,分析了各层的厚度及折射率对三层膜系有效反射率的影响.
本文通过与传统晶体硅太阳电池的测试方法相比较,提出了一种III-V 族多结聚光太阳电池的测试方法和流程.利用实验室拥有的三结聚光太阳电池样品进行测试实验,实验结果表明,III-V 族三结聚光太阳电池的开路电压与短路电流均随聚光比的增大而增大,填充因子随聚光比的增大而减小,短路电流随着多结聚光太阳电池温度的升高而增大,开路电压随温度的升高而减小.
染料敏化太阳电池以它制作成本低和污染小的特点引起了广泛的关注.染料敏化太阳电池光电响应时间是硅太阳电池的数十倍,现有的染料敏化太阳电池测试仪器均使用了稳态光源,且有效测试面积一般小于20cm*20cm,因此不能满足工业生产对大面积染料敏化太阳电池的测试需要.本文介绍了一种新型染料敏化太阳电池测试仪,它的恒定光强光脉冲宽度为100ms.通过几种方法修正后,该测试仪器可以较为准确的测量出染料敏化太阳电
大面积染料敏化太阳电池的设计和研制是染料敏化太阳电池(DSC)实用化研究中关键的一步,以大面积并联DSC 为例讨论了大面积DSC 的设计方法,简要介绍了课题组建设大面积DSC 中试线的基本情况.针对未来DSC 在光伏建筑一体化 (BIPV) 领域的应用,结合电池的可见光透光率,模拟计算了不同透光率时电池的输出性能.分析了电池的转换效率随电池透光率的变化规律,并给出了最优化设计方案,为未来DSC 的
应用于染料敏化太阳能电池时,在降低电荷扩散电阻与提高电荷收集效率等方面,一维结构TiO2有明显的优势1.但现有合成的单晶TiO2 纳米棒薄膜面密度较低2.本文研究了前驱体浓度、水热时间、温度等因素对纳米棒生长机理的影响,结果表明,较低前驱体浓度,较高水热温度,有利于获得细长的纳米棒.进一步研究表明,将已合成纳米棒薄膜生长晶种后,进行二次水热,可获得直径30nm,面密度270/μm2左右的较高面密度
本文通过简单的碱性溶剂热方法,成功制备出了锐钛矿相单晶纳米棒,并将其应用于染料敏化太阳能电池的光阳极中.在标准光强条件下,锐钛矿相单晶纳米棒与P25 混合得到的电池与普通P25 电池相比整体光电转化效率有13.5％的提高,通过入射光量子转换效率(IPCE)和紫外可见光谱分析的结果表明电池性能的提升主要归因于长波长区域的光散射效果,从而提高了光的利用,最终提升了整体电池性能.
纳米线表面缺陷态对纳米线太阳电池性能影响至关重要.我们提出在硅纳米线表面沉积本征a-Si:H 薄膜作为钝化层,研究a-Si:H 薄膜对纳米线表面结构及光电性能的作用.硅纳米线表面的形貌用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)表征,纳米线表面键、光学性质依次通过傅里叶红外光谱(FTIR)、光致发光谱(PL)表征.在径向p-n 结硅纳米线电池中加入本征a-Si:H 层后,得到电池的开路电压
本文采用HMI 开发的AFORS-HET 软件模拟研究了AM1.5 条件下双层发射极(a-Si(heavy doped)/a-Si(light doped)/i-a-Si:H/c-Si,D-emitter)结构对于HIT 太阳电池性能的改善.结果表明：D-emitter 结构的HIT 太阳电池的开路电压,短路电流及填充因子相比于单层发射极结构(a-Si(doped)/i-a-Si:H/c-Si,