【摘 要】
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iN/基层状复合材料通过引入多层结构及弱分隔层(Bn)提高了SiN陶瓷的韧性。而且提高的幅度受几何因素的影响，比如：层厚和层厚比。研究了该种层状材料的力学性能随几何因素变化的影响。随着层厚比（基体层厚度／分隔层厚度）的增加，SiN/Bn层状材料的强度和韧性都增加，但增加幅度不同，当层厚比大于4-5时，断裂不再增加，而当层厚比大于10时，强度也不再增加，层厚也是比较重要的一个参数，保持层厚比不变，随
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i<,3>N<,4>/基层状复合材料通过引入多层结构及弱分隔层(Bn)提高了Si<,3>N<,4>陶瓷的韧性。而且提高的幅度受几何因素的影响，比如：层厚和层厚比。研究了该种层状材料的力学性能随几何因素变化的影响。随着层厚比（基体层厚度／分隔层厚度）的增加，Si<,3>N<,4>/Bn层状材料的强度和韧性都增加，但增加幅度不同，当层厚比大于4-5时，断裂不再增加，而当层厚比大于10时，强度也不再增加，层厚也是比较重要的一个参数，保持层厚比不变，随着层厚的增加韧性先降低后增加，而强度一直增加。因此，经过研究发现，基层(Si<,3>N<,4>)厚度为100-125UM，分隔层厚度为10-20UM为最佳几何参数。
其他文献
采用Ti、Sn和石墨粉末为原料，利用固液相反应成功地制备出片状晶TiSnC粉末，实验结果表明，所制备出的TiSnC带有明显的取向性。应用X射线衍射及扫描电镜技术对TiSnC粉末相进行成分及形成貌分析和表征。
以Ti(OCH).SrCl.6HO为主要原料，采用溶胶－凝胶法制备了SrTiO和掺铁SrTiO薄膜。通过电镜和X衍射分析了薄膜的结构，并分析比较了烧成温度和掺杂对钛酸锶氧敏性能的影响。
SiO/C体系在氮气气氛下1573-1973K温度范围内反应所得的产物为α-SiNNαβ-SiO。高的反应温度、高升温速度以及原料碳的过量均有利于SiO的生成。反应过程可分为三个阶段、产物分别为SiO气体、SiN和SiC，表现活化能分别为470KJ/MOL，467KJ/mol，484KJ/mol，484KJ/mol。以非等温度热重分析为主要实验方法。对SiO/C体系在流动的氮气中的反应机理进行了研
采用湿法工艺、超声及高速搅拌均化技术，使SiC晶须在硅粉基料中均匀分散。制备的10volSiC晶须的热压反应结合氮化硅复合材料(10vol℅SiC/HPRBSN)，与不含晶须的基体材料相比，其断裂韧性提高50℅。对添加剂对硅粉实体氮化行为的影响以及SiC/HPRBSN陶瓷复合材料的机械性能进行了讨论。
利用Eshelby模型计算了碳化硅晶须补强氧化铝复合材料中的晶须含量材料中的晶须含量对残余应力的影响，与X-ray衍射测量的数据行比较，两者结果非常接近，随着昌须含量的增加，基体AlO中残余张应力增加，而碳化硅晶须中的残余应力降低。
以钛本丁酯和氯化钇为原料，采用溶胶－凝胶法研究了Y掺杂TiO光催化活性的影响，通过红外光谱(IR)分析了TiO复合粒子的结构，结果表明：Y掺杂能够显著提高TiO粒子的光催化活性，当掺杂比为100:1.5(Y外加1.5℅)时光催化活性最高，分析了Y掺杂TiO粒子光催化活性提高的原因。
对硼硅玻璃-SiO系统的介电性能进行了研究，通过调整配比，得出40WT℅硼硅玻璃-60WT℅SiO的玻璃陶瓷在850℃烧结样品的介电常数ε为4.80。并研究了不同频率下硼硅玻璃-SiO玻璃陶瓷的介电性能。
采用表面诱导包覆法，在TiO的浆料中，使ZrGl.8HO水解形成无定形Zr(OH)包覆层结昌转化成四方ZrO，其晶粒尺寸为20-30NM。包覆煅烧后的TiO粉中ZrO占15VOL℅，其等电点和纯ZrO的等电点相近。
采用复阻抗技术对三元系ZrO-YO-YbO材料在573-873K内的离子电导率随组成的变化关系进行了研究，发现该材料的低温电导率随YbO含量的增加而降低。用Arrhenius公式对实验数据进行的分析表明，电导率降低的原因在于Yb与结构中氧空位之间的缔合比Y与氧空位之间的缔合更甚，阻碍了氧空位在低温下的定向迁移。
曾有报道认为离子半径较小的Yb离子，在BaTiO中主要取代Ti位而表观为受主杂质，从而不能使BaTiO材料在空气中半导体。该文研究了YbO的掺杂行为，表明它同其它稀土杂质一样，可以使空气中烧成的BaTiO陶瓷半导化。在纯施主掺杂的BaTiO半导化陶瓷中，材料的升阻比随施主掺杂量的增加而降低，这是由于晶界上中性钡缺位浓度随施主掺杂量的增加而降低造成的。