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三维微波管模拟器Ⅲ:高频电路模拟器设计
三维微波管模拟器Ⅲ:高频电路模拟器设计
来源 :中国电子学会真空电子学分会第十六届学术年会暨军用微波管研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:m200997
【摘 要】
:
本文介绍了高频电路模拟器的核心理论与边界条件实现技术。通过对有限积分理论及基于该理论的电边界与准周期边界的数值实现技术进行研究,建立与确定微波管高频系统对应的代
【作 者】
:
朱小芳;徐立;廖莉;肖礼;贺国贤;杨中海;李斌;李建清;黄桃;胡权;胡玉禄;高鹏;马俊建;
【机 构】
:
电子科技大学 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室 成都 610054
【出 处】
:
中国电子学会真空电子学分会第十六届学术年会暨军用微波管研讨会
【发表日期】
:
2007年期
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本文介绍了高频电路模拟器的核心理论与边界条件实现技术。通过对有限积分理论及基于该理论的电边界与准周期边界的数值实现技术进行研究,建立与确定微波管高频系统对应的代数本征方程。最后,利用高频电路模拟器对一实际螺旋线慢波结构进行了模拟计算,得到了与MAFIA模拟结果一致的色散与阻抗特性。
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