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采用分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了高迁移率的InSb薄膜,样品的厚度在0.9~1.1 μ m之间,通过优化薄膜生长的参数(包括生长温度,Ⅲ/Ⅴ),在没有插入任何缓冲层的情况下获得了迁移率高达44600cm2/V.s的InSb薄膜,其表面粗糙度仅为0.20nm.变温Hall测试的结果表明,InSb薄膜在300K迁移率达到峰值,这是由于位错散射和声子散射共同作用的结果.