采用In:CdS做缓冲层改善Cu(In,Ga)(S,Se)2器件性能

来源 :第七届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lpy2009
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  黄铜矿Cu(In,Ga)Se2(CIGS)太阳能电池的光电转化效率一直高于锌黄锡矿(CZTS)太阳能电池,目前,Cu(In,Ga)Se2(CIGS)的冠军效率是23.35%,主要原因归功于Cu(In,Ga)Se2(CIGS)太阳能电池具有高光学吸收系数,可调禁带宽度及良好的稳定性.
其他文献
One important bottleneck in the development of Sb2S3 solar cells is the high electrical resistivity ofSb2S3.Our first-principles calculations reveal that the high resistivity results from the compensa
铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2)薄膜太阳电池具有效率高、弱光性能好、稳定不衰退等优点,是当前最具有前景的薄膜太阳电池之一.铜铟镓硒薄膜是一种由铜、铟、镓和硒四种元素化合成的四元化合物半导体,其根据不同的Ga/(In+Ga)比,带隙可以在1.04-1.67eV 内连续可调.
Ion doping strategy is a promising method to enhance the efficiency of Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)solar cells,however,most of the reported works focus on studying the single ion doping in CZTSSe absorber l
Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)因其可调谐的带隙和地球丰富的元素成分,有望成为薄膜太阳能电池中最有前途的吸收材料之一[1-2]。柔性CZTSSe 太阳能电池因其在建筑一体化光伏和无人驾驶飞机系统[4]等光伏产业中的巨大优势而备受关注。
CZTSSe 太阳电池因Cu+、Zn2+、Sn4+阳离子紊乱和体相缺陷的存在,抑制其效率的提升。通过微量Ag+取代Cu+,可减少CuZn 反位缺陷,降低开压损耗;微量In+取代Sn+,可形成InSn 浅能级缺陷,降低与Sn 相关的深能级缺陷,改善载流子传输,提升电池的短路电流密度。因此本实验研究Ag&In 共掺杂的CZTSSe 太阳电池,发挥双阳离子掺杂的协同作用。
自2014 年至今,CZTSSe 电池进入瓶颈期,光电转换效率一直无法超越12.6%.有几个阻碍CZTSSe 太阳能电池效率进一步提高的因素,其中之一是背电极Mo 与Se 反应形成MoSe2 以及其他二次相[1],使得背接触恶化.
To improve the power conversion efficiency(PCE)and stability of inverted perovskite solar cells(PSCs)prepared in humid air(RH=55%),a new zinc oxide(ZnO):TIPD composite film is inserted between PCBM la
在乙二胺-乙二硫醇溶液体系制备的吸收层中存在难以除去的小晶层,小晶粒层的元素成分波动较大,是一个常伴随着不良复合的高电阻层,它的存在不利于电荷输运。不同的硒化方式致使小晶粒层的存在位置存在差异,使得吸收层呈现上层大晶/下层小晶的双层结构和上层大晶/中间小晶/下层大晶的三层结构。
锌黄锡矿CZTSSe 太阳能电池具有与CIGS 相似的晶体结构,且其元素丰度高,被视为下一代光伏技术的理想替代品.目前CZTSSe 太阳能电池的最高光电转换效率已经达到12.62%,但仍然低于CIGS 太阳能电池的效率.制约CZTSSe 薄膜太阳能电池发展的主要原因在于固有的界面损耗,这主要是由于p-n 结处的费米能级钉扎和背接触的非理想能级匹配引起的.
Alkali post-deposition treatment(PDT)has been recognized as the one of key strategy to yield the record efficiency of chalcopyrite Cu(In,Ga)Se2(CIGS).