【摘 要】
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光刻技术是极大规模集成电路制造的核心技术.光刻工艺中最关键的设备一光刻机,直接决定了集成电路芯片的特征尺寸.极紫外光刻(EUVL,曝光波长13.5nm)是集成电路制造技术进入1x
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所,上海市嘉定区清河路390号,201800
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光刻技术是极大规模集成电路制造的核心技术.光刻工艺中最关键的设备一光刻机,直接决定了集成电路芯片的特征尺寸.极紫外光刻(EUVL,曝光波长13.5nm)是集成电路制造技术进入1xnm以下节点的主要备选光刻技术之一.美国EUV LLC、VNL、SEMATECH,日本EUVA等组织,以及ASML、Nikon等高端光刻机制造厂商在EUVL技术领域开展了大量工作.ASML公司目前处于领先地位;2006年、2010年、2013年,ASML公司分别向客户交付了3代EUV光刻系统,第三代EUV光刻机NXE∶3300B (NA 0.33)特征尺寸达到22nm.
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