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氧化亚铜具有多功能性、无毒和低成本的特点,使其受到了很大的关注.高温自还原方法是一种广泛被用于Cu(Ⅱ)选择性还原生成Cu(Ⅰ)的方法[1].然而,在自还原过程中铜氧化物很容易聚集,明显降低了Cu(Ⅰ)的产率,并且抑制了合成材料的活性.本课题组通过在介孔氧化硅孔道内构筑限阈空间的方案来促进氧化亚铜(Cu2O)的分散和生成[2].