【摘 要】
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本文采用纳米掺杂工艺制备BaTiO3基抗还原介质，重点研究Co离子对介电性能和微观结构的掺杂效应。结果表明，在BT-Y-Mg体系中，添加Co能提高陶瓷致密度(-5.9g/cm3)和晶粒均匀性(-0.
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院，电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054
【出 处】
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中国电子学会第十六届电子元件学术年会
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本文采用纳米掺杂工艺制备BaTiO3基抗还原介质，重点研究Co离子对介电性能和微观结构的掺杂效应。结果表明，在BT-Y-Mg体系中，添加Co能提高陶瓷致密度(-5.9g/cm3)和晶粒均匀性(-0.5μm)；掺杂Co能促使壳-芯结构形成，由于Co离子扩散将导致晶粒壳增大和芯减小，从而提高室温介电常数并显著改善电容温度稳定性；受主Co离子能有效抑制自由电子浓度，增强抗还原性，降低介质损耗并大幅提升绝缘电阻率。掺杂0.5mol％Co样品性能最佳：K25℃≈3000，tgδ<1.5％，Ri≈10 12Ω·cm，△C/C<±10％达到X7R。
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