【摘 要】
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ZnO基半导体优越的光电性能使其在高效率短波长光电器件领域有着广阔的应用前景。一方面稳定高质量的p、n型掺杂是制备光电器件的基础;另一方面,ZnMgO/ZnO异质结构,尤其是
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程学院,硅材料科学国家重点实验室,唐仲英传感材料及应用研究中心
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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ZnO基半导体优越的光电性能使其在高效率短波长光电器件领域有着广阔的应用前景。一方面稳定高质量的p、n型掺杂是制备光电器件的基础;另一方面,ZnMgO/ZnO异质结构,尤其是量子阱结构的制备也是半导体光电器件的核心研究点之一。本文主要介绍我们课题组近年来采用分子束外延设备制备高质量ZnO、Zn1-xMgxO薄膜、Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱及发光效率提升机制的研究。我们在制备高质量薄膜及量子阱的基础上,探究了Zn1-xMgxO/ZnO异质结带阶移动规律,并从能带角度考虑,探索实现高效p型ZnO的途径,结合能带带阶及掺杂应变调控,为ZnO薄膜的p型掺杂工作作出有利的指导。其次,为解决极性取向对量子阱结构及器件产生的不利影响,我们对非极性取向的Zn1-xMgxO薄膜、Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱也开展了一系列研究,为发展高内量子效率的非极性器件奠定基础。此外,我们将介绍Na掺杂ZnO实现p型导电的新进展。同时,深入研究了Na掺杂ZnO薄膜中Na的掺杂行为及受主能级,并揭示了不同Na掺杂ZnO薄膜中存在两种受主能级的现象。
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