【摘 要】
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A novel n-region controlled segmented anode LIGBT on SOI substrate is proposed and discussed.The n-region controlled segmented anode concept makes this new
【机 构】
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Chongqing Semi-chip Electronics Co.,Ltd,Chongqing 401332,China
【出 处】
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第九届中国高校电力电子与电力传动学术年会
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A novel n-region controlled segmented anode LIGBT on SOI substrate is proposed and discussed.The n-region controlled segmented anode concept makes this new structure have lower on-state voltage drop during conducting state and have two effective paths for electrons extracting during turn-off-state.As simulation results shown,the turn-off time is 94.8%shorter than that of conventional one and 47.8%shorter than that of state-of-the-art NCA-LIGBT which we have presented earlier.For drive application,the proposed LIGBT has much lower total power loss than that of conventional and NCA-LIGBT.The proposed device can be fabricated by the conventional SOI high voltage IC process,has a large scope of fabrication parameter difference and it is a promising device used in low/middle voltage power ICs.
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