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在过渡金属氧化物家族中，4a,5a过渡金属氧化物具有独特的物理特性。由于其中复杂的电荷、轨道以及白旋等多白由度问的相互竞争和合作，这类材料体现出金属绝缘相变、非常规超导以及奇异拓扑等丰富有趣的物理行为。本报告将主要介绍利用分子束外延技术生长一系列SrRuOg(100),SrIr03(100)和SrIro1(100)高质量4d和5d电了氧化物单晶薄膜，并同时对其进行原位掺杂和替代，从而有效调制其中的物理特性;此外，利用原位角分辨光电子能谱技术，可以直接探测薄膜内部的精细电子结构，从而为从微观机理研究这些材料中的物理特性提供了实验基础。