【摘 要】
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利用有效质量近似方法,研究了在强弱电场下有两个电子的GaAs半导体量子点中能级移动和强电场下量子点的微观电极化率x.首先,利用微扰法计算了库仑相互作用能△E,计算由于弱电场而引起的Stark能级移动△E1,讨论△E1与特征长度L的关系;其次,在强电场作用下,求出能量变化△E2并将其与弱电场下的情况进行对比;最后,研究了强电场下量子点的x与L的关系.
【机 构】
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重庆大学数理学院,物理系和凝聚态物理研究所,重庆,400044
【出 处】
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第九届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议
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利用有效质量近似方法,研究了在强弱电场下有两个电子的GaAs半导体量子点中能级移动和强电场下量子点的微观电极化率x.首先,利用微扰法计算了库仑相互作用能△E,计算由于弱电场而引起的Stark能级移动△E1,讨论△E1与特征长度L的关系;其次,在强电场作用下,求出能量变化△E2并将其与弱电场下的情况进行对比;最后,研究了强电场下量子点的x与L的关系.
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