【摘 要】
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本文一方面研究了0.05mol％Dy3+掺杂的GeS2-Ga2S3-CsI硫卤玻璃的中红外发光特性.结果表明CsI引入到GeS2-Ga2S3硫系玻璃中有效降低了体系的析晶能力，所有多重态的吸收截面均
【机 构】
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武汉理工大学 湖北 武汉 430070
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本文一方面研究了0.05mol％Dy3+掺杂的GeS2-Ga2S3-CsI硫卤玻璃的中红外发光特性.结果表明CsI引入到GeS2-Ga2S3硫系玻璃中有效降低了体系的析晶能力，所有多重态的吸收截面均不同程度减小，峰位产生蓝移；荧光寿命测试表明，随着CsI的引入，基质玻璃的离子键性增强且折射率下降，从而导致辐射跃迁速率下降.Dy3+掺杂GeS2-Ga2S3-CsI硫卤玻璃在2.7μm (6H13/2→6H15/2)附近产生形状为多个峰组合成的较宽的发射带.另一方面依据Dy3+掺杂的GeS2-Ga2S3(CsI)玻璃的吸收截面作了Judd-Ofelt理论相关参数的计算，发现离子键性CsI的引入使得稀土离子周围配位环境的共价性减弱，离子性增强，导致Dy3+掺杂下GeS2-Ga2S3-CsI玻璃的多重态振子强度较GeS2-Ga2S3玻璃的要小.GeS2-Ga2S3玻璃中加入CsI后，多声子驰豫率(MPR)随之降低，中红外荧光发光的量子效率则随之提高.
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