【摘 要】
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采用激光溅射的方法产生了铬掺杂硅CrnSi12-(n=1,2,3)系列负离子团簇,通过对CrnSi12-(n=1,2,3)负离子团簇进行光电子能谱研究获得该系列团簇的垂直脱附能VDEs和绝热脱附
【机 构】
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中国科学院化学研究所,北京市海淀区中关村北一街2号,100190
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采用激光溅射的方法产生了铬掺杂硅CrnSi12-(n=1,2,3)系列负离子团簇,通过对CrnSi12-(n=1,2,3)负离子团簇进行光电子能谱研究获得该系列团簇的垂直脱附能VDEs和绝热脱附能ADEs.采用密度泛函方法计算光电子能谱与密度泛函方法研究CrnSi12-(n=1,2,3),获得CrnSi12-(n=1,2,3)团簇的结构,认识到CrnSi12-(n=1,2,3)团簇电子分布、芳香性、磁性等性质,阐明了多个过渡金属对硅笼结构的稳定作用.
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