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在活塞-圆筒式p-V关系测量装置上研究了单晶InSb在室温下、4.5GPa内的p-V关系实验结果发现它在2.4GPa左右发生了相变。给出了它在相变前后的状态方程、格临爱森参数γ0、体弹模量B0和B0的压力导数B0。同时，还在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法研究了单晶和多晶InSb在室温下，10GPa内的电阻、电容和压力的关系。实验结果表明，单晶和多晶InSb分别在3.4GPa和2.2GPa左右发生了金属相变。