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本文设计了一种V波段的硅基的半模基片集成波导(HMSIW)宽带3d B耦合器。仿真结果表明该种耦合器在55GHz-70GHz耦合端和隔离端拥有±0.2d B幅值差异和90.8°±0.5°相位差异,隔离和回波损耗都在-19.5d B以下,插损小于-0.51d B,相对带宽达24%。结构的总体尺寸为7.55mm*3.8mm。