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本文选用国产CX542B型双栅场效应管(DGFET)在40×50×1mm~1聚四氟已烯基片上设计调试了一个S波段上变频器,主要实测指标如下:变频增益Gc≥6.4dB.带内杂波抑制度优于45dB.
S波段双栅场效应管上变频器设计
【摘 要】
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本文选用国产CX542B型双栅场效应管(DGFET)在40×50×1mm~1聚四氟已烯基片上设计调试了一个S波段上变频器,主要实测指标如下:变频增益Gc≥6.4dB.带内杂波抑制度优于45dB.
【机 构】
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郑州高射炮兵学院、雷达教研室;
【发表日期】
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2004年期
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