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在4GPa，500～1200K的范围，对非晶BCN化合物等温等压加热1h。结果表明：压力促进非晶BCN的晶化。在880K以上退火1h，获得一新的具有四方结构的B-C-N半导体晶体相。其晶格常数和室温电阻率随温度的提高而减少，这一结果被归因于其碳含量随温度的增加而增加。经1170K退火获得的B-C-N新相的晶格常数为a=1.685nm，c=0.537nm，室温电阻率为2.99（Ωm）。电阻随温度的变化呈类半导体特性。