RGB LED液晶电视动态背光技术研究及工程样机的研制

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本文采用区域动态控制法,研制开发31.5英寸RGB LED动态背光液晶电视工程样机。通过实际性能参数测试表明。该RGB LED区域动态背光液晶电视工程样机具有对比度高、色域宽、无污染以及能耗低等特点。符合我国节能降耗的绿色科学发展方向。
其他文献
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统,在蓝宝石衬底上外廷生长以InGaN傲垒的多量子阱蓝光发光二极管(LED)材料。本文对比了GaN垒和InGaN垒样品材料质量和发光特性。结果表明,材料界面的质量变化不大,但利用InGaN做垒光致发光的峰值强麦增强、峰位蓝移,样品中V坑的数目及相应的位错减少。对两种结构的LED进行电学测量得知。InGaN垒样品的droop现象得到极大的改善,这表明阱垒之间
采用MOCVD设备对Si衬底上生长GaN进行了研究,通过AIN缓冲层与GaN质量对比研究,发现GaN的晶体质量对AIN缓冲甚的晶体质量有明显的依赖关系。GaN晶体质量随AIN缓冲层晶体质量改善面改善。通过优化生长条件,生长出了(002)晶面半蜂宽为477弧秒的GaN薄膜。
利用湿法腐蚀的方法,制备出图形化蓝宝石衬底(PSS)。通过浓硫酸和浓磷酸混合液高温腐蚀制备出柱状图形和锥状图形,并研究其表面形貌特点和GaN外延后的影响。扫描电镜(SEM)观察显示。柱状与锥状图形的阵列排布都非常整齐,且方向一致。高分辨X-Ray射线摇摆曲线结果表明,图形衬底可以提高晶体质量,柱状图形对晶体质量的提升更为明显。对PSS上外延的GaN-LED进行光致发光(PL)谱测试,柱状图形衬底的
本文设计了一种特定波长(540nm)具有非对称量子垒的InGaN 量子阱(QW),通过数值模拟,得到量子阱区域的能带图、电子电流分布以及输出功率和内量子效率的分析。与传统的InGaN QW相比较,使用非对称垒的QW结构。器件的漏电流明显降低。输出功率、内量子效率均有提高,而且内量子效率的Droop现象也得到抑制。
本文使用MOCVD方法,在蓝宝石衬底上通过GaN过渡层进行了AlInN薄膜的生长,并研究了生长温麦和生长压力对其表面形貌和In组分的影响。生长温度变化的研究表明。在一定温度范围内,降低生长温度司以获得更高的In组分,当生长温度为T3时,In组分为17.5%,与GaN实现了晶格匹配。当生长温度为T1时,由于张应力,AlInN发生开裂;通过研究生长压力发现,在一定压力范围内,降低生长压力可以获得更佳的
功率型芯片是实现LED照明的关键元件,提升功率銎芯片的发光效率是减低其成本的主要手段。国内通过技术革新,基于蓝宝石衬底生产的功率型LED器件具有优良的综合性能,45mil芯片在350mA下发光效率达1041m/W,并能够满足3W的应用市场,此外,器件具有良好的可靠性和稳定性,350mA和700mA下老化1000hr光衰分别为-0.4%和2.8%。
在分析LED日光灯各种技术方案的基础上,采用COB工艺,以小功率芯片直接封装在铝基板上,减少了LED器件的结构热阻和接触热阻,研制成高效散热型COBLED日光灯。提高了光效和照度。与贴片LED日光灯相比,除上述优点外还增加了均匀性和降低了成本,应用到公交车上取得了很好的节能效果。
为了快速预测LED路灯寿命,需要探求一种高效方法。环境温度可影响结温进而改变LED路灯的各种特性。散热结构不同的LED路灯温度-光通量间的线性相关系数可能有差异,通过实验验证了这个猜想。该线性相关系数与灯具的实际效果正相关,可用于LED路灯寿命的快速评估。
考虑目前以LED作为电视背光以或为业界开发方向,以实现低能耗、无铅环保的目标,但目前主流为侧射式背光设计,其虽然具有低成本的优势,但考虑区域控制在画质上的提升方面却远不如直下式的表现。但不讳言的。直下式背光设计目前或本仍居高不下,且无法有效的缩减曹光厚度是一大弊病,也因此亿光电子以1.5次光学的概念开发出适用于大尺寸直下式背光用之LED封装,以解决上述问题。本文就上述相关枝术背景进行论述、讨论,最
LED侧背光最早出现在手机显示屏中,随着LED效率的提升,以及导光板制成技术的不断革新,LED侧背光逐渐向大尺寸液晶显示器发展,先后出现在笔记本电脑,桌面显示器等产品中。本文将对大尺寸LED侧背光的LED光源、导光板、光学膜材、散热结构以及动态背光控制等几个方面对大尺寸LED侧背光发展趋势和所面临挑战进行简要的分析。