储氢材料镁镍合金MgNiH氢化燃烧合成

来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a111222aaa
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镁镍合金(Mg<,2>Ni)以其优良的特性,被认为是最具有开发应用价值的储氢材料.氢化燃烧合成法,由于具有省能、省时和设备简单的优越性,已得到企业界的广泛兴趣和重视.本文主要介绍储氢材料镁镍合金Mg<,2>NiH<,4>氢化燃烧合成方法的特点、反应机理和相关研究结果.
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合成了一类新型平面四方锥型锌配合物:L·Zn(acac),其中L=对硝基苯基硫脲(a)、对甲氧基苯基硫脲(b)、对二甲氨基苯基硫脲(c)、对乙酰基苯基硫脲(d);acac=乙酰丙酮基.以上配合物颜色均为白色或浅黄色,熔点均在200℃以上.采用ZINDO/S方法模拟了上述配合物的电子光谱,与实验结果进行了比较.利用量子化学计算程序包MOPAC中的PM3方法对该类配合物及其相应配体的一阶分子超极化率(
富Nd相在烧结NdFeB稀土永磁体性能方面起着重要的作用.本文用FeNd二元合金来模拟实际烧结NdFeB磁体中的富Nd相,并研究了添加W、Mo合金元素对FeNd二元合金显微组织的影响和这些元素在合金中的分布.结果表明,FeNd二元合金组织为先共晶α-Nd相和α-Nd+NdFe共晶组织组成.在合金中添加W,Mo元素后,显微组织发生明显变化,先共晶α-Nd相数量减少,共晶组织增多.微区成分分析表明,W
研究了RBaCuO(R-123)系列样品(R=Tm、Dy、Gd、Eu、Nd和Y)的局域电子结构以及稀土离子半径r对体系超导电性的影响.正电子实验表明,随着替代元素R离子半径的增加,正电子平均寿命τm增加,计算表明局域电子密度n和超导转变温度Tc亦随R半径增加有一单调变化,最后讨论了局域电子密度和系统超导电性与稀土离子半径关联的物理机制.
信息社会的到来对高信息量的光存储提出了要求,小型紧凑的蓝、绿光半导体泵浦固体激光器的出现为之提供了条件.掺Tm亚碲酸盐玻璃作为这种激光器优良的工作物质,引起了研究者的广泛关注.本文主要研究了掺Tm/Yb亚碲酸盐玻璃室温下的上转换发光.用970nm波长的半导体激光器作为泵浦源,得到了高效率的480nm波长上转换的荧光.通过不同掺杂浓度样品的蓝光发光比较,发现了这种玻璃蓝光上转换发光的浓度猝灭现象,找
报道了一种新组合份掺Er磷酸盐玻璃材料,对其1.5μm红外光发射进行了测量,发现其有大的有效半高宽,适合目前光通讯中波分复用(WDM)所需光纤放大器材料的要求.计算了Er离子之间交叉弛豫几率,通过求解跃迁速率方程,得出了1.5μm红外光发射效率与Er掺杂浓度的关系.
本文研究了钨青铜结构的BaPrTiO系高介微波陶瓷材料,BaO:PrO:TiO摩尔比为1:1:4.通过引入BiO、NbO、ZnO等添加改性,考查了其对BaPrTiO基陶瓷微波性能的影响,实验结果表明:在1KHz、10KHz、1KHz、20KHz的不同频率下,在Bi含量达到24mol℅时,相对介电常数εr达到最大值.用5.6mol℅NbO、11.8mol℅BiO+8.3mol℅NbO、27.2mol
在含饱和2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑(DMcT)酸性乙腈介质中,采用循环电位扫描、恒电位电解和浸泡方式合成了DMcT/聚苯胺(PAn)复合膜,并使用循环伏安法和交流阻抗法对复合膜的电化学性能进行表征.结果发现,恒1.0V电解方式获得的复合膜的导电性差,电荷传递速度小,但发生电化学反应速度大;浸泡12h方式获得的复合膜的导电性好,但发生电化学反应速度小;循环电位扫描方式获得的复合膜的性能处在前
在低压MOCVD条件下,采用等离子体协助方法进行ZnS和ZnS;Mn外延层生长.在普通玻璃衬底上,150℃生长的ZnS外延层由X光衍射谱表明有较强的(111)衍射峰,随生长温度提高至350℃,位于(111)的ZnS衍射峰值半高宽(△2θ)变窄(0.21°),表明获得较高的ZnS外延层质量.由于采用等离子体协助分解,使TCM由原来热分解温度500℃下降至350℃即可完成ZnS;Mn外延层生长,并在室
水热法合成了新化合物:RE(HCO)(HNO)(HCO) (RE=Yb、Tm、Lu).用单晶X射线衍射方法测定了Lu化合物的晶体结构和Tm、Lu化合物的单胞参数.结构参数如下:属Y化合物结构类型,正交晶系,空间群C222(20),Z=4,a=0.6615(1)nm,b=1.819(6)nm,c=0.8388(3)nm,V=1.0096(5)nm,Mr=403.1,F(000)=752,Dx=2.6