【摘 要】
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本篇论文使用台积电(TSMC)0.18μmCMOS制程设计2.4GHz的双平衡式降频混频器.在射频输入(RFinput)、本地震荡(LO)与中频(IF)等频率分别为:2.4GHz、2.3GHz及100MHz,混频器电路
【出 处】
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2005年海峡两岸三地无线科技学术会议
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本篇论文使用台积电(TSMC)0.18μmCMOS制程设计2.4GHz的双平衡式降频混频器.在射频输入(RFinput)、本地震荡(LO)与中频(IF)等频率分别为:2.4GHz、2.3GHz及100MHz,混频器电路设计经使用ADS(AdvancedDesignSystem)软件及TSMC0.18um元件模拟,电源供应电压1.8V时其特性如下:转换增益(ConversionGain)为5.0dB、噪声系数(noisefigure)为6.0dB、射频-中频隔离度(RF_IFIsolation)为-32.5dB、本地振荡-中频之隔离度(LO_IFIsolation)为-54.8dB、本地振荡-射频隔离度(LO_RFIsolation)为-40.2dB、第三阶截断点(HP3)为3.1dBm、1-dB压缩点(1-dBcompressionpoint)为-6dBm,功率消耗(powerdissipation)为12.6mW.
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