【摘 要】
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在聚酰亚胺（PI）柔性衬底Cu(InxGa1-x)Se2（简称CIGS）薄膜的制备中,Na的掺入和Ga的扩散对于薄膜特性的提升都至关重要。本文研究在低温沉积CIGS薄膜过程中,Na元素对于Ga扩散的影响
【机 构】
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南开大学信息技术科学学院光电子研究所;
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在聚酰亚胺（PI）柔性衬底Cu(InxGa1-x)Se2（简称CIGS）薄膜的制备中,Na的掺入和Ga的扩散对于薄膜特性的提升都至关重要。本文研究在低温沉积CIGS薄膜过程中,Na元素对于Ga扩散的影响。X光衍射（XRD）分析发现,在前掺Na制备的CIGS薄膜中,存在表面高Ga而内部低Ga的现象;小角度X光衍射（GIXRD）分析显示,CIGS的衍射峰随着深度的增加而逐渐左移。这一现象在无Na的CIGS薄膜中并不存在。XRD对比分析显示,掺入的Na越多,这一现象越明显;薄膜Ga/（Ga+In）越高,这一现象越容易出现。一系列分析表明, Na对于Ga的扩散有阻碍作用。
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