硅烷法多晶硅CVD还原炉的数值模拟研究

来源 :2015中国化工学会学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:erwewrasfrfa
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三氯氢硅(HSiCl3,TCS)和硅烷(SiH4)是CVD法 (Chemical Vapor Deposition)多晶硅生产工艺的两种主要前体,前者一般采用钟罩式反应器,又称为改良西门子法,是国内外目前应用最多的工艺,其优点是技术成熟,产品纯度高;主要缺点是转化率低,能量利用率低,不能连续生产,成本高等.由于TCS氢还原平衡反应的限制,其单程转化率仅为10 %左右;又由于需在钟罩式外壳的夹套内通入冷却介质避免壁面沉积,从而增加过程能耗.以硅烷为基础的多晶硅生产工艺以其转化率高、能耗低、不存在腐蚀性副产物等特点,受到众多研究者和工业界的广发关注.目前硅烷法一般采用流化床反应器,可实现连续生产,但存在粉尘生成量大、壁面沉积严重、产品颗粒有微孔及纯度不高等缺点.粉尘生成不仅会降低产品收率并给尾气回收系统带来困难,还会对多晶硅颗粒造成污染,直接影响产品纯度和性能;壁面沉积则会降低反应器壁传热效率,由于多晶硅与器壁材质膨胀系数存在差异,还可诱发反应器破裂.本文对硅烷法钟罩式反应器进行CFD建模和模拟计算,同时考虑硅烷在硅棒表面非均相沉积和在气相中均相沉积速率动力学,通过与实验数据进行对比,验证计算模型的准确性,研究不同压力、硅棒表面温度、进料硅烷浓度和进料速率以及不同反应器结构等对炉内硅棒生长速率,硅棒表面沉积均匀性和气相粉尘生成量的影响,在此基础上对传统钟罩式反应器结构进行优化,减少粉尘生成,提高硅棒生长均匀性.
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