论文部分内容阅读
室温连续工作的波长9.3微米的量子级联激光器
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083
【出 处】
：
第十二届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
：
2017年期
其他文献
MBE has become an effective mass production technology for electronic/optoelectronic epitaxial devices structures growth.The MBE foundry,such as IntelliEPI,
会议
本文报道了基于主控振荡(MO)-功率放大(PA)结构的太赫兹量子级联激光器(THz-MOPA-QCL)。我们利用“半导体/金属”分布反馈光栅提高MO 的输出功率,利用锥形放大区域抑制增