【摘 要】
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碳化硅(SiC)因其独特的物理和化学性质,例如宽禁带、高热导、高硬度和抗氧化性,而得到广泛应用。化学气相沉积(CVD)是制备SiC膜最重要且有效的方法之一,为了提高其沉积速率,
【机 构】
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武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室;
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碳化硅(SiC)因其独特的物理和化学性质,例如宽禁带、高热导、高硬度和抗氧化性,而得到广泛应用。化学气相沉积(CVD)是制备SiC膜最重要且有效的方法之一,为了提高其沉积速率,我们将高功率连续激光引入CVD工艺,开发了一种新型激光CVD。使用六甲基乙硅烷(HMDS)和四氯硅烷(SiC14)等作为前驱体,采用冷壁式激光CVD法,将激光光斑直接照射到基板上制备SiC膜。激光功率和总压力分别为0～500 W和0.4～40 kPa,研究了各沉积条件对SiC膜的沉积速率、微观结构、晶相、择优取向和维氏硬度等的影响,最高沉积速率达到3.6 mm/h。本研究团队还采用激光CVD法制备了高温超导涂层、硬质涂层、生物陶瓷涂层、铁电薄膜及离子导体薄膜等。
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