随着高电压新技术的发展以及电机电器的小型化、高压化及变频调速的应用,对传统绝缘材料的性能提出了新的挑战,急需提高绝缘材料的介电性能、耐局部放电特性等来延长电老化寿命以满足现代高压技术的发展.聚酰亚胺(Polyimide,PI)作为一种工程材料,具有优异的介电性能、力学性能、热稳定性能、耐化学药品性以及较好的柔韧性,在电气绝缘技术领域,作为绝缘材料得到迅速的发展和一定的应用.同时由于纳米技术的快速发展,为聚合物绝缘材料开发和研究提供新的发展方向.本文采用原位聚合法制备了聚酰亚胺/纳米TiO2复合杂化膜,研究了不同掺杂含量对杂化膜耐电晕性的影响,建立耐电晕模型.同时通过FTIR研究其亚胺化程度以及用SEM分析纳米粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态.结果表明,纳米粒子在PI中得到了均匀分散,TiO2的引入对杂化膜的介电常数、介质损耗、电气强度和耐电晕性能产生了很大的影响,25％TiO2含量时介电常数为5.1左右,介质损耗在0.03以下,电气强度下降到110MV/m,但其耐电晕性能却得到大幅度的提高.因此,在高耐热性绝缘材料中均匀分散一些纳米无机粒子,可以大幅度提高抗高频脉冲尖峰电压和耐电晕等性能.