【摘 要】
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目的 研究X线照射后VEGF过表达导致体外血脑屏障受损的机制，通过建立体外血脑屏障模型，于不同照射剂量，不同照射时间体外血脑屏障相关指标的检测来探讨X线照射后VEGF过表达导致血脑屏障受损的机制。方法 采用小鼠原代培养的脑微血管内皮细胞和星形胶质细胞共培养体系(体外血脑屏障模型)的构建来模拟体内RBI组织损伤单位。分实验组和对照组，于照射后不同时间点(4h 12h 24h 48h)检测模型中下述指
【出 处】
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广东省医学会第十五次神经病学学术会议暨第五届粤港澳神经病学学术会议
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目的 研究X线照射后VEGF过表达导致体外血脑屏障受损的机制，通过建立体外血脑屏障模型，于不同照射剂量，不同照射时间体外血脑屏障相关指标的检测来探讨X线照射后VEGF过表达导致血脑屏障受损的机制。方法 采用小鼠原代培养的脑微血管内皮细胞和星形胶质细胞共培养体系(体外血脑屏障模型)的构建来模拟体内RBI组织损伤单位。分实验组和对照组，于照射后不同时间点(4h 12h 24h 48h)检测模型中下述指标。
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