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并五苯有机场效应晶体管中源漏电流的提高

来源 :第13届全国发光学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：luohai8899

【作 者】

：

伊然 娄志东 吕龙锋 滕枫 侯延冰 

【机 构】

：

北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044

【出 处】

：

第13届全国发光学学术会议

【发表日期】

：

2013年12期

【关键词】

：

有机场效应晶体管 并五苯 源漏电流 迁移率 

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