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半导体激光器以其功率高，寿命长的优点得到了广泛应用，增大激光功率和可靠性也一直是半导体激光器领域的研究重点。其中，灾变性光学镜面损伤(COD)是影响半导体激光器光最大光功率的重要因素。
GaAsP量子阱808nm半导体激光器的制备
【摘 要】
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半导体激光器以其功率高，寿命长的优点得到了广泛应用，增大激光功率和可靠性也一直是半导体激光器领域的研究重点。其中，灾变性光学镜面损伤(COD)是影响半导体激光器光最大光功率的重要因素。
【机 构】
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北京工业大学
【出 处】
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2016年全国光机电技术及系统学术会议暨中国光学学会光电技术专委会/中国仪器仪表学会光机电分会会员代表大会
【发表日期】
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2016年3期
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