【摘 要】
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第三代半导体SiC具有宽带隙、高击穿电场、高电子峰值速度、高热导率、热稳定性好和化学稳定性好等特性。SiC肖特基二极管的性能优劣在很大程度上依赖于金属/半导体结。金属
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第三代半导体SiC具有宽带隙、高击穿电场、高电子峰值速度、高热导率、热稳定性好和化学稳定性好等特性。SiC肖特基二极管的性能优劣在很大程度上依赖于金属/半导体结。金属钽（Ta）的导电性良好,具有较大的电子逸出功,可望与SiC形成良好的肖特基接触。从热力学的角度深入研究Ta与SiC之间形成稳定可靠的接触至关重要。Ta-Si二元体系的优化计算结果是研究Ta-Si-C三元体系的重要前提。本工作对Ta与Si的固相反应以及生成的稳定化合物进行了系统研究。首先对文献中报道的Ta-Si体系的热力学数据和相图信息进行了评估,筛选出可靠的实验数据。然后采用相图计算（CALPHAD）方法,对体系进行了优化计算,获得了液相和4种稳定中间化合物（Ta3Si、Ta2Si、Ta5Si3和TaSi2）的热力学参数。优化得到的Ta-Si二元系计算相图与原有的实验相图吻合较好。比较Ta的硅化物在298-973 K时的生成自由能,可以预测出在制备Ta-SiC肖特基接触时,在不同退火温度下优先生成的稳定硅化物序列。
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