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本文主要研究对比了4H-SiC肖特基二极管(SBD)、4H-SiC结势垒肖特基二极管(JBS)和4H-SiC PiN二极管三种结构的静态和动态特性,同时分析了温度对三种碳化硅器件反向恢复特性的影响.仿真分析表明SiC SBD、JBS和PiN的导通压降分别为3.1V、4V和4.2V,其中SiC JBS二极管在开启电压和正向工作电流方面显示出了较优秀的特性,并具有理想的抗浪涌电流能力.在6kV反向阻断状态下,SiC PiN二极管具有最小反向泄漏电流.在150℃下，SiC SBD和JBS二极管都显示出了稳定的反向恢复性能.