AuZnS+CdTeHgCdTe MIS器件的制备及其C-V特性

来源 :第十二届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sitmaar

【作者】

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【机构】

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苏州大学物理科学与技术学院中国科学院上海技术物理研究所(上海)

【出处】

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第十二届全国半导体物理学术会议

【发表日期】

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1999年10期

【关键词】

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