【摘 要】
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本文采用有机/无机杂化溶胶-凝胶方法制各出高质量的SiO2薄膜和光敏性薄膜材料;利用三维BPM方法研究了掩埋式和暴露式矩形波导结构MMI型光功率分束器的主要性能，理论模拟发现掩埋式矩形波导结构分束器的长度、宽度和厚度容差性都优于暴露式矩形波导结构的MMI型分束器，并且具有更宽的带宽特性，更适合应用于密集波分复用(DWDM)系统中。通过简单的紫外曝光、显影工艺制备出1×4MMI型波导分束器，分束器在
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电研发中心 北京912信箱,100083
【出 处】
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全国第14次光纤通信暨第15届集成光学学术会议
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本文采用有机/无机杂化溶胶-凝胶方法制各出高质量的SiO2薄膜和光敏性薄膜材料;利用三维BPM方法研究了掩埋式和暴露式矩形波导结构MMI型光功率分束器的主要性能，理论模拟发现掩埋式矩形波导结构分束器的长度、宽度和厚度容差性都优于暴露式矩形波导结构的MMI型分束器，并且具有更宽的带宽特性，更适合应用于密集波分复用(DWDM)系统中。通过简单的紫外曝光、显影工艺制备出1×4MMI型波导分束器，分束器在1550nm波长附近的插入损耗为8.1～8.8dB，功率分束不均匀性小于1dB。
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