ECR-PEMOCVD生长GaN基掺锰稀磁半导体的研究

来源 :2006北京国际材料周暨中国材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wlxqzs
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本文利用ECR-PEMOCVD(电子回旋共振-等离子体增强金属有机化学气相沉积)方法,采用二茂锰作为锰源,氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为镓源,在蓝宝石衬底上外延生长出具有一定Mn含量且晶质较好的GaMnN稀磁半导体薄膜.并通过XRD、AFM、RHEED、电子探针、拉曼光谱等分析手段对样品进行了分析.
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