纳米电子器件及其集成

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lin901102
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本文对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.
其他文献
本文采用AlN插入层改善材料结构,研究了AlN插入层对AlGaN/GaNHEMTs电流崩塌效应的影响.直流应力条件下,AlGaN/GaNHEMTs的输出电流显著减小,膝点电压和阈值电压也有较大程度的退化,出现严重的电流崩塌现象;相同应力条件,AlGaN/AlN/GaNHEMTs的电流崩塌现象有显著改善,表明AlN插入层能有效抑制电流崩塌效应.AlN插入层能增加异质结的带隙差△Ec,提高AlGaN势
本文通过求解一维定态薛定谔方程,得到自旋电子直接遂穿金属-半导体肖特基势垒的自旋极化率.在偏压很小时,自旋极化电流没有足够的能量来越过势垒,在偏压适中时,可以达到相当大的自旋极化率,在没有绝缘层的情况下,选择合适的半导体例如AlGaAs/GaAs,由于金半接触形成的肖特基势垒起到了自旋相关势垒的作用,同样可以获得可观的自旋极化率.
本文介绍了一种由高压双极型晶体管和低压功率MOSFET管结合而成的单片共射共基极结构智能功率开关.从结构和电气特性两方面描述了其基本特性.特别研究了它作为100kHz的零压准谐振boost变换器主开关的器件特性,凸显了它在高压高频应用中的良好性能.实验测试证实了这种开关的优缺点.最后给出了开关损耗对应开关频率的关系曲线.实验结果证明了器件用于软开关场合的优势.
本文对工作电压在10V-18V范围内用于硅基OLED驱动电路的高压CMOS器件进行了模拟.在SynopsysTCAD软件环境下,模拟了栅长为0.8μm的NMOS和PMOS器件,通过不断调整LDD区域的长度及杂质浓度,使器件的击穿电压达30V.同时,确定了关键的工艺参数,并计算了器件的主要特性,为OLEDoS驱动电路的实现打下了基础.
本文对于VDMOS漂移区中由泊松方程得到的解析解,通过进行一些近似处理,将其由一个关于电场的隐含表达式转化为近似的电场的显式表达式,这样就在较大程度上简化了模型的计算过程,从而得到了一种简化的VDMOS静态物理模型.器件模拟软件MEDICI的模拟结果验证了本文简化模型的计算精度,可以看到,虽然简化模型是经过近似处理得到的,但是其计算精度依然是较高的.
本文在对4H-SiCMESFET器件工作机理分析研究的基础上,提出了一种适合射频大功率器件的Ids(Vgs,Vds)模型,并针对两种不同结构尺寸的4H-SiCMESFET器件,用MATLAB对此模型进行了模拟,模拟结果与测量数据符合较好.
本文对数字电路中比较典型的可编程逻辑门和流水线加法器进行了设计与模拟,同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下实现相应电路的可行性。
本文使用非线性电流法对MESFET功率放大器在连续谱信号激励下的非线性性能进行分析,得出功放三阶互调及频谱再生等结果,为工程设计提供了依据.
本文研究了一种基于聚合物-碳黑混合物的气敏微传感器.通过四种不同的聚合物敏感材料以及混合的碳黑修饰在梳状微电极上,可以得到这种新型的化学气敏电阻型微传感器.比较了两种不同宽长比电极对于该类传感器性能的影响后,将这四种不同聚合物的微传感器分别对500×10-6体积分数丙酮、乙醇、甲醇、甲苯四种有机类气体进行了测试,比较其电阻的相对变化率,利用响应的主成分分析可以将四种气体区分开.
本文完成了一种24bit×24bit+48bit带饱和处理的乘加单元设计,在乘法器的设计中,采用改进的Booth算法(MBA)减少了部分积的数目以适应高速运算,并用由compressor组成的Wallacetree来将产生的部分积相加.在设计中,将被加数作为乘法器的一个部分积参与到Wallacetree阵列中来完成乘加运算,大大提高了MAC的性能,同时通过增加饱和检测和处理电路实现了饱和处理功能.