基于Z变换的FDTD方法对双负媒质的研究

来源 :2009年全国微波毫米波会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bear1634
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
近年来,双负材料的研究已成为科研的热点。双负媒质是介电系数和磁导系数均为负值的介质材料。引入色散Drude模型后,本构关系在时域成为卷积关系,因此将Z变换理论应用到双负媒质中的时域有限差分(FDTD)中,使FDTD可计算双负媒质中电磁波的散射和传播。本文对麦克斯韦方程做了修改,并给出双负媒质中介电系数和磁导系数均为频率函数的FDTD表达式。最后,数值仿真了电磁波与双负媒质平板的相互作用;计算了覆盖了双负媒质金属柱的电磁散射,探讨了双负媒质在隐身技术方面的应用前景。
其他文献
本文简要分析了采用二极管来实现三倍频的基本原理,根据该原理设计了一种脊波导结构的75-110GHz宽带三倍频器,测试结果表明在输入功率为22dBm时,全波段输出功率大于4.5dBm。
本文所介绍的3 mm智能噪声源输出ENR为14--20dB,可实现对3 mm器件的噪声特性的测试。并采用I2C总线智能接日技术,实现噪声源超噪比的自动加载,使噪声源即插即用,可极大简化用户在
基于CMOS工艺的微波毫米波集成电路越来越引起研究人员的关注。低电压低功耗技术正在应用到射频电路和微波毫米波电路。本文介绍了一种10GHz的低电压低功耗的低噪声放大器。
本文通过分析线性振荡器基本模型得到了振荡器低噪声的相关参量。在此基础上,根据这些参数的关系设计了ku波段硅锗低噪声放大器,高品质系数介质谐振器,相位调节器等。其中高品质
会议
研制360MHz十二倍频器.采用三次和四次倍频级联方法,使倍频器在3dBm~5dBm信号输入情况下,输出功率大于6dBm,功率波动小于2dB,谐波抑制度大于50dB。介绍了倍频器的设计思路、调试方
采用3英寸圆片GaAsPIN工艺设计和制作了非反射型毫米波单刀单掷开关单片。GaAsPIN二极管SPST开关具有低插损、高隔离度、高功率的优点,工作频段25~40GHz,输入端在关断态下采用非
本文基于SiCMESFET(SiliconCarbideMetal-SemiconductorFieldEffectsTransistors)设计实现了在L波段输出功率大于30W得高效率E类功率放大器。放大器的输入输出匹配网络采用微
探地雷达(GPR)是近些年来比较流行的一种工程和地球物理探测方法。利用数值模型来模拟复杂的地下电磁特性模型是探地雷达理论研究的主要内容之一。论文利用复坐标延伸变量和
会议
夏夜,凉风习习,蛙鸣阵阵,抬头仰望,只见满天的小星斗静静地镶嵌在暗蓝的天幕上,它们尽着自己的力量,把点点滴滴的光芒融汇在一起,仿佛是无数漂在银河里的航标灯.
近年来,高等职业学校的教育发展越来越迅速。国家也对其发展提出了更高的要求,高等职业学校展开了教学改革。因为全球经济化的快速发展,英语的教学更是成为了高等职业学校教