抗辐照MOSFET 3D TCAD仿真

来源 :四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：quickz

【摘要】

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本文首先在Sentaurus中建立了3D MOSFET仿真模型,对多组不同尺寸MOSFET的电学特性的仿真与修正,与实测0.5μm,标准CMOS工艺下多组NMOS和PMOS的电学特性数据作对比,提取出了符

【作者】

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王凯甘程李念龙李鹏于文华刘昌举陈文斌王向展

【机构】

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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054中国电子科技集团公司第四十四研究所重庆400060

【出处】

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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会

【发表日期】

：

2012年12期

【关键词】

：

金氧半场效晶体管器件抗辐照性能 P型多晶硅栅参数模型仿真分析

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本文首先在Sentaurus中建立了3D MOSFET仿真模型,对多组不同尺寸MOSFET的电学特性的仿真与修正,与实测0.5μm,标准CMOS工艺下多组NMOS和PMOS的电学特性数据作对比,提取出了符合实际的器件参数与物理模型参数.结合总剂量辐照理论,利用器件参数和所加物理模型研究了器件辐照后的电学特性.本文通过仿真研究了P+多晶硅栅(P型多晶硅栅)结构辐照前后特性的变化,发现P型多晶硅栅结构能有效抑制NMOS辐照泄漏电流.

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