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采用自助熔剂固态反应法制作了Bi2Sr2CaCu2O8+x单晶，使用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术在Bi-2212单晶表面制作了台阶结构的Josephson本征结。用三引线和四引线法分别测量了该样品零场下c轴方向的电阻-温度(R-T)关系和恒定温度(14.4K)时的I-V特征曲线。
Bi-2212本征Josephson结的制备和零场特性
【摘 要】
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采用自助熔剂固态反应法制作了Bi2Sr2CaCu2O8+x单晶，使用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术在Bi-2212单晶表面制作了台阶结构的Josephson本征结。用三引线和四引线法分别测量了该样品零
【机 构】
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南京大学物理系固体微结构国家实验室
【出 处】
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江苏省制冷学会第五届学术年会
【发表日期】
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2004年期
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