【摘 要】
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石墨烯片有着很特别的电学性质和非常尖锐的边缘及大的表面积,所以被认为是一种高效场发射体.然而,在垂直于衬的方向生长平行排列的石墨烯片来突出石墨烯的尖锐边缘以增强其
【机 构】
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北京凝聚态物理国家实验室(筹) 中科院物理研究所微加工实验室 北京 100190
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
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石墨烯片有着很特别的电学性质和非常尖锐的边缘及大的表面积,所以被认为是一种高效场发射体.然而,在垂直于衬的方向生长平行排列的石墨烯片来突出石墨烯的尖锐边缘以增强其场发射特性,在技术上很难实现.在这里,设计了一种理想的石墨烯场发射体,在硅纳米锥阵列上生长了垂直的花瓣状石墨烯纳米片,通过锥尖结构与纳米片的结合,突出了石墨烯的尖锐边缘.实验结果表明这种石墨烯场发射体有着很低的开启电压,显示出极好的场发射性能和非常稳定的场发射过程.锥尖结构突出了石墨烯的尖锐边缘和优化了花瓣状石墨烯纳米片团簇间的距离和分布密度,可以增大局域电场,增强场发射.这种新的场发射体设计为基于石墨烯场发射体应用提供了一种新的思路.
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