【摘 要】
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利用射频磁控溅射法在低阻Si,SiO2/Si以及Pt/Ti/SiO2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZ
【机 构】
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四川大学材料科学与工程学院,成都,610064
【出 处】
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第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议
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利用射频磁控溅射法在低阻Si,SiO2/Si以及Pt/Ti/SiO2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能.
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