微型CMC-SiC氧化环境中的应力分析及损伤预测

来源 :中国力学大会2011暨钱学森诞辰100周年纪念大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fei5301821
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  本文研究了氧化环境中微型CMC-SiC的应力分析及损伤预测问题。通过将氧化动态模拟与微结构表征建模相结合,模拟了微型CMC-SiC微结构构型随着氧化时间的演化。采用周期性边界条件方法,计算了微型CMC-SiC氧化环境中的细观应力分布。预测了材料在不同的氧化环境和氧化时间下的损伤行为,数值计算结果和实验数据较好的吻合性表明,本文建立的数值模型可以有效地预测高温氧化环境中微型CMC-SiC的细观应力和损伤。另外,计算结果显示了氧化环境对于CMC-SiC的损伤存在着重要影响。
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