混合双极-MOS器件及电路的优化设计

来源 :第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yishaphoto123456
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该文对一种采用CMOS工艺的混合双极-MOS(BMHMT)器件和电路进行研究,与普通MOS器件相比,它具有低阈值电压,高跨导和驱动电流大等优点,可以代替双极型器件作为BiCMOS电路的驱动级,作者对BMHMT的结构及使用进行了优化设计。
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