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会议论文
混合双极-MOS器件及电路的优化设计
混合双极-MOS器件及电路的优化设计
来源 :第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yishaphoto123456
【摘 要】
:
该文对一种采用CMOS工艺的混合双极-MOS(BMHMT)器件和电路进行研究,与普通MOS器件相比,它具有低阈值电压,高跨导和驱动电流大等优点,可以代替双极型器件作为BiCMOS电路的驱动级,作者对BMHMT的结构及使用进行了优
【作 者】
:
侯晓华
刘理天
【机 构】
:
大学微电子所
【出 处】
:
第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
双极型器件
件和电路
阈值电压
优化设计
驱动电流
驱动级
高跨导
结构
工艺
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该文对一种采用CMOS工艺的混合双极-MOS(BMHMT)器件和电路进行研究,与普通MOS器件相比,它具有低阈值电压,高跨导和驱动电流大等优点,可以代替双极型器件作为BiCMOS电路的驱动级,作者对BMHMT的结构及使用进行了优化设计。
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