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硅光调制器被认为是通信革命的主力.这里,通过向单晶硅片中注入离子在电子带隙中引入杂质带,并利用其非线性吸收特性制备了适用于通讯波段的结构紧凑、便于集成且成本低廉的被动硅光调制器件.样品的可饱和吸收性能在1.55μm下进行了测量,结果表明其对光强十分敏感并且具有可忽略的吸收损失.